4Fx6E8vAtM5 yrd.huanqiu.comarticle昕感科技重磅首发超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件新产品/e3pu6i31u<article><section data-type="rtext"><p>近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V／7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO－247－4L Plus封装，有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域快速更新换代，为国家“碳达峰、碳中和”目标的实现做出贡献。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/60be0a7668bc5c1e9b3971efe2799ea5.jpg?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>昕感新品采用出色的TO－247－4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等优势，能够显著降低开关损耗及震荡，提升器件散热表现。</p><p>昕感新品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低（＜1μA＠1200V），具备优越的高压阻断特性。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="N2M120007PP0器件部分静态特性" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/73cbbb010c3c2a7c36a2a5c1b20f351d.jpg?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同条件下正常动态开关。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="N2M120007PP0器件800V／200A下的开关波形" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/cdc8622c9b641c6f293faf9b80e749d3.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>除TO－247－4L Plus等单管封装外，昕感1200V／7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块，便于广泛实现其在汽车主驱等新能源领域中的应用。</p><p>昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。昕感科技拥有从器件到模块再到应用的全流程高度定制化技术能力，能够匹配各领域客户需求，帮助客户快速建立差异化竞争优势。</p><p>昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块产品量产。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。1200V／80mΩ SiC MOSFET已通过AEC－Q101车规级可靠性认证，也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。</p><p>声明：该文章系转载，旨在为读者提供更多新闻资讯。所涉内容不构成投资、消费建议，仅供读者参考。</p></section></article>1703814392643责编：李冰<a href="http://science.china.com.cn/2023-12/28/content_42653830.htm" >中国网</a>170381439264311[]{"email":"libing@huanqiu.com","name":"李冰"}